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BSM35GD120DLC

更新时间： 2024-01-15 09:44:35

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EUPEC		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	98K
描述
IGBT-Module Maximum rated values

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BSM35GD120DLC 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	35 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-P17	元件数量：	6
端子数量：	17	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BSM35GD120DLC 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

BSM35GD120DLC E3224

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

V_CES

1200

collector-emitter voltage

T_C= 80 °C

T_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

280

+/- 20V

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

_P= 1 ms

I_FRM

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

400

2,5

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 35A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,1

2,4

2,6

2,9

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 35A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 1,2mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

0,35

6,5

Gateladung

gate charge

_GE= -15V...+15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

0,13

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

µA

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

200

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Mark Münzer

approved by: M. Hierholzer

date of publication: 9.9.1999

revision: 2

1(8)

Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls

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与BSM35GD120DLC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BSM35GP120	ETC	IGBT Module	获取价格
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