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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 30 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BSM30GP60 | EUPEC | Elektrische Eigenschaften / Electrical properties |
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| BSM30GP602 | ETC | IGBT Module |
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| BSM35GB120DLC | EUPEC | vorlafige Daten preliminary data |
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| BSM35GB120DN2 | INFINEON | IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Doubled diode area) |
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| BSM35GB120DN2 | EUPEC | IGBT Power Module |
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| BSM35GD120D2 | INFINEON | IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes) |
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