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BSM100GP60

更新时间： 2024-01-21 05:13:09
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EUPEC 晶体晶体管功率控制栅局域网
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12页 212K
描述
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

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BSM100GP60 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.66最大集电极电流 (IC)：100 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
JESD-30 代码：R-XUFM-X24元件数量：7
端子数量：24封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BSM100GP60 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
IGBT-Module  
IGBT-Modules  
BSM100GP60  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier  
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
1600  
80  
V
A
A
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert  
RMS forward current per chip  
IFRMSM  
Dauergleichstrom  
TC = 80°C  
Id  
100  
DC forward current  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
tP = 10 ms, Tvj = 25°C  
tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
IFSM  
Stoßstrom Grenzwert  
surge forward current  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
700  
570  
A
A
A2s  
A2s  
I2t  
2450  
1620  
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
600  
V
IC,nom.  
IC  
Tc = 70 °C  
100  
135  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms,  
TC  
=
ICRM  
70 °C  
200  
420  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC = 25°C  
Ptot  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
Tc = 70 °C  
tP = 1 ms  
100  
200  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
IFRM  
Grenzlastintegral  
I2t - value  
I2t  
A2s  
VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C  
2.300  
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
600  
V
TC = 80 °C  
IC,nom.  
IC  
50  
75  
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
TC = 25 °C  
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
tP = 1 ms, TC = 80°C  
ICRM  
Ptot  
100  
250  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
TC = 25°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
VGES  
+/- 20V  
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
Tc = 70 °C  
30  
60  
A
A
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forw. current  
tP = 1 ms  
IFRM  
prepared by: Andreas Schulz  
approved by: Robert Severin  
date of publication:29.03.2001  
revision: 5  
1(11)  
DB-PIM-10.xls  
1234567...12

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