Datasheet > BS850/E8

BS850/E8

更新时间： 2024-02-13 04:04:56

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	226K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 250MA I(D) \| TO-236AB

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BS850/E8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.25 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

BS850/E8 数据手册

BS850

Vishay Semiconductors

formerly General Semiconductor

Electrical Characteristics(T_J= 25°C unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

–V_(BR)DSS

V_GS(th)

–I_GSS

Test Condition

–I_D= 100µA, V_GS= 0

V_GS= V_DS, –I_D= 1mA

–V_GS= 15V, V_DS= 0

–V_DS= 25V, V_GS= 0

Min

1.0

—

Typ

Max

—

Unit

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

Gate-Body Leakage Current

Drain Cutoff Current

2.0

—

3.0

µA

Ω

–I_DSS

—

0.5

5.0

Drain-Source On-State Resistance

R_DS(on)–V_GS= 10V, –I_D= 200mA

—

3.5

–

_DS= 10V, –I_D= 200mA,

Forward Transconductance

Input Capacitance

g_m

—

200

—

f = 1MHz

–

_DS= 10V, V_GS= 0,

f = 1MHz

C_iss

Turn-On Time

Turn-Off Time

t_on

t_off

–

—

_GS= 10V, –V_DS= 10V

R_D= 100Ω

Note:

(1)Device on fiberglass substrate, see layout

Inverse Diode

Parameters

Symbol

Test Condition

Value

Unit

Max. Forward Current (continuous)

I_F

T_amb= 25°C

0.3

V_GS= 0, I_F= 0.12A

°C

Forward Voltage Drop (typ.)

V_F

0.85

T_j= 25

Layout for R

test

thJA

Thickness: Fiberglass 0.059 in. (1.5 mm)

0.30 (7.5)

Copper leads 0.012 in. (0.3 mm)

0.12 (3)

.04 (1)

.08 (2)

.04 (1)

.08 (2)

0.59 (15)

0.47 (12)

0.03 (0.8)

0.2 (5)

Dimensions in inches (millimeters)

0.06 (1.5)

0.20 (5.1)

www.vishay.com

Document Number 88181

10-May-02

123 4 5

下载PDF

与BS850/E8相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BS850/E9	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 250MA I(D) \| TO-236AB	获取价格
BS850-7	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
BS850T7-7	DIODES	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.15A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
BS85B12-3	HOLTEK	Touch Key Flash Type 8-Bit MCU with LCD/LED Driver	获取价格
BS85B12-3_12	HOLTEK	Touch Key Flash Type 8-Bit MCU with LCD/LED Driver	获取价格
BS85C20-3	HOLTEK	Touch Key Flash Type 8-Bit MCU with LCD/LED Driver	获取价格