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BS62LV4008PCP70

更新时间： 2024-02-18 02:17:10
品牌 Logo 应用领域
BSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 374K
描述
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit

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BS62LV4008PCP70 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP32,.6Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：SEATED HGT CALCULATED
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDIP-T32
长度：41.91 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.293 mm最大待机电流：8e-7 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.024 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.4 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

BS62LV4008PCP70 数据手册

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BSI  
BS62LV4008  
„ PIN DESCRIPTIONS  
Name  
Function  
A0-A18 Address Input  
These 19 address inputs select one of the 524,288 x 8-bit words in the RAM  
CE Chip Enable Input  
WE Write Enable Input  
CE is active LOW. Chip enables must be active when data read from or write to the  
device. if chip enable is not active, the device is deselected and is in a standby power  
mode. The DQ pins will be in the high impedance state when the device is deselected.  
The write enable input is active LOW and controls read and write operations. With the  
chip selected, when WE is HIGH and OE is LOW, output data will be present on the  
DQ pins; when WE is LOW, the data present on the DQ pins will be written into the  
selected memory location.  
OE Output Enable Input  
The output enable input is active LOW. If the output enable is active while the chip is  
selected and the write enable is inactive, data will be present on the DQ pins and they  
will be enabled. The DQ pins will be in the high impedance state when OE is inactive.  
These 8 bi-directional ports are used to read data from or write data into the RAM.  
DQ0-DQ7 Data Input/Output  
Ports  
Vcc  
Power Supply  
Ground  
GND  
„ TRUTH TABLE  
MODE  
Not selected  
Output Disabled  
Read  
WE  
X
CE  
H
L
OE  
X
I/O OPERATION  
High Z  
Vcc CURRENT  
ICCSB, ICCSB1  
H
H
High Z  
ICC  
ICC  
ICC  
OUT  
IN  
H
L
L
D
Write  
L
L
X
D
„ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)  
„ OPERATING RANGE  
AMBIENT  
TEMPERATURE  
0 O C to +70 O  
SYMBOL  
VTERM  
TBIAS  
TSTG  
PARAMETER  
RATING  
UNITS  
V
RANGE  
Vcc  
Terminal Voltage with  
Respect to GND  
-0.5 to  
Vcc+0.5  
Commercial  
Industrial  
C
2.4V ~ 3.6V  
2.4V ~ 3.6V  
Temperature Under Bias  
Storage Temperature  
Power Dissipation  
-40 to +85  
-60 to +150  
1.0  
O C  
-40 O C to +85O  
C
O C  
W
PT  
„ CAPACITANCE (1) (TA = 25oC, f = 1.0 MHz)  
DC Output Current  
20  
mA  
IOUT  
SYMBOL  
PARAMETER  
CONDITIONS  
MAX.  
UNIT  
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM  
RATINGS may cause permanent damage to the device. This is a  
stress rating only and functional operation of the device at these  
or any other conditions above those indicated in the operational  
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute  
maximum rating conditions for extended periods may affect  
reliability.  
Input  
CIN  
VIN=0V  
6
pF  
Capacitance  
Input/Output  
Capacitance  
CDQ  
VI/O=0V  
8
pF  
1. This parameter is guaranteed and not 100% tested.  
Revision 1.1  
Jan. 2004  
R0201-BS62LV4008  
2
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BS62LV4008PI BSI

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 		Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit
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