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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 55 ns | 其他特性： | SEATED HGT CALCULATED |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| 长度： | 41.91 mm | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.5/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.293 mm | 最大待机电流： | 8e-7 A |
| 最小待机电流： | 1.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.029 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BS62LV4008PCP70 | BSI | Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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| BS62LV4008PI | BSI | Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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| BS62LV4008PI55 | BSI | Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDIP32 |
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| BS62LV4008PI-55 | BSI | Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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| BS62LV4008PI70 | BSI | Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDIP32 |
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| BS62LV4008PI-70 | BSI | Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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