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BRMJD112Q

更新时间： 2024-09-16 17:15:55
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蓝箭 - FOSHAN /
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描述
TO-252

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BRMJD112Q 数据手册

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BRMJD112Q  
Rev.B Nov.-2023  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-252 塑封封装 NPN 半导体三极管。  
Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.  
特征 / Features  
直流电流增益高，E 与 C 间内置阻尼二极管电性能与 BRTIP112Q 等同，符合 AEC-Q101 标准高可靠性  
要求，无卤产品。  
High DC current gain, built-in a damper diode at E-C,electrically similar to popular BRTIP112Q,  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability, HF Product.  
用途 / Applications  
用于中功率放大或开关电路，满足汽车应用的严格要求。  
Medium power switching applications, Meet the stringent requirements of automotive applications.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
PIN1：Base  
PIN 2,4：Collector  
PIN 3：Emitter  
放大及印章代码 / hFE Classifications & Marking  
见印章说明。  
See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
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