5秒后页面跳转
BRCS7002K2ZK PDF预览

BRCS7002K2ZK

更新时间: 2024-11-03 17:15:23
品牌 Logo 应用领域
蓝箭 - FOSHAN /
页数 文件大小 规格书
7页 860K
描述
DFN1006-3L

BRCS7002K2ZK 数据手册

 浏览型号BRCS7002K2ZK的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BRCS7002K2ZK的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BRCS7002K2ZK的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BRCS7002K2ZK的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BRCS7002K2ZK的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BRCS7002K2ZK的Datasheet PDF文件第7页 
BRCS7002K2ZK  
Rev.C May.-2022  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
DFN1006-3L 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN1006-3L Plastic Package.  
特征 / Features  
灵敏的控制级触发电流和很低的维持电流。静电保护达 2KV。无卤产品。  
Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV.HF Product.  
用途 / Applications  
用作一般的开关和相位控制。  
Intended for use in general purpose switching and phase control applications.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
Pin1:G  
Pin2:S  
Pin3:D  
印章代码 / Marking  
见印章说明 See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
1 / 7