5秒后页面跳转
BRCS080N04YB PDF预览

BRCS080N04YB

更新时间: 2024-11-02 17:15:23
品牌 Logo 应用领域
蓝箭 - FOSHAN 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 2391K
描述
PDFN3

BRCS080N04YB 数据手册

 浏览型号BRCS080N04YB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BRCS080N04YB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BRCS080N04YB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BRCS080N04YB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BRCS080N04YB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BRCS080N04YB的Datasheet PDF文件第7页 
BRCS080N04YB  
Rev.A Jun.-2022  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
PDFN3×3A-8L 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a PDFN 3×3A-8L Plastic Package.  
特征 / Features  
V
DS (V) = 40V  
ID =45 A (VGS = ±20V)  
DS(ON)@10V8mR(Typ.6.4mR)  
R
无卤产品HFProduct.  
用途 / Applications  
用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。  
These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power  
supplies.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
印章代码 / Marking  
见印章说明。See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
1 / 8