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BR9010F-WE2

更新时间： 2024-11-25 14:48:07

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
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14页	203K
描述
EEPROM, 64X16, Serial, CMOS, PDSO8

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BR9010F-WE2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP-8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.82	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	2 MHz	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	5 mm	内存密度：	1024 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	64 words	字数代码：	64
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	64X16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LSOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE	并行/串行：	SERIAL
电源：	3/5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.000002 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	4.4 mm
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

BR9010F-WE2 数据手册

BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W / BR9020-W / F-W / FV-W /

Memory IC

RFV-W / RFVM-W / BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W

1k, 2k, 4k, bit EEPROMs for direct

connection to serial ports

BR9010-W / BR9010F-W / BR9010FV-W /

BR9010RFV-W / BR9010RFVM-W

BR9020-W / BR9020F-W / BR9020FV-W /

BR9020RFV-W / BR9020RFVM-W

BR9040-W / BR9040F-W / BR9040FV-W /

BR9040RFV-W / BR9040RFVM-W

The BR90XX series are serial EEPROMs that can be connected directly to a serial port and can be erased and written

electrically. Writing and reading is perfomed in word units, using four types of operation commands. Communication

occurs through CS, SK, DI, and DO pins, WC pin control is used to initiate a write disabled state, enabling these

EEPROMs to be used as one-time ROMs. During writing operation is checked via the internal status check.

zApplication

General-Purpose

zFeatures

1) BR9010-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (1k bit) : 64 words×16bit

BR9020-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (2k bit) : 128words×16bit

BR9040-W / F-W / FV-W / RFV-W / RFVM-W (4k bit) : 256words×16bit

2) Single power supply.

3) Serial data I/O.

4) Self-timed programming cycle with auto-erase.

5) Low supply current.

Active (5V) : 2mA (max.)

Standby (5V) : 3µA (max.) (CMOS INPUT)

6) Noise filter on the SK pin. Write protection when the supply is low.

7) Write protection by WC pin.

8) Space Saving DIP8/SOP8/SSOP-B8/MSOP8pin Packages.

9) 100,000 erase/ write cycles endurance.

10) Provide 10 years of date retention.

11) Easy connection to serial port.

12) “FFFFh” stored in all address on shipped.

1/14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BR9010RFVM-W	ETC	获取价格	メモリLSI
BR9010RFV-W	ETC	获取价格	メモリLSI
BR9010-W	ETC	获取价格	メモリLSI
BR9016	ROHM	获取价格	8k, 16k bit EEPROMs for direct connection to serial ports
BR9016AF	ROHM	获取价格	8k, 16k bit EEPROMs for direct connection to serial ports
BR9016AF-W	ROHM	获取价格	8k, 16k bit EEPROMs for direct connection to serial ports
BR9016AF-WE1	ROHM	获取价格	EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDSO8
BR9016AF-WE2	ROHM	获取价格	EEPROM, 1KX16, Serial, CMOS, PDSO8
BR9016ARFV	ROHM	获取价格	8k, 16k bit EEPROMs for direct connection to serial ports
BR9016ARFVM	ROHM	获取价格	8k, 16k bit EEPROMs for direct connection to serial ports

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