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BR88DF

更新时间: 2024-11-21 19:53:51
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美台 - DIODES 二极管
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1页 52K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon

BR88DF 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSIP-W4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.49
最小击穿电压:800 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PSIP-W4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:50 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:2 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向电流:0.00001 µA子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BR88DF 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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