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BR5010W

更新时间: 2024-01-14 04:42:51
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2页 428K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

BR5010W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:S-PUFM-W4
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.77
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:1000 V外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:S-PUFM-W4最大非重复峰值正向电流:400 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:50 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:TS 16949最大重复峰值反向电压:1000 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BR5010W 数据手册

 浏览型号BR5010W的Datasheet PDF文件第1页 
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES ( BR5005W THRU BR5010W )  
DC COMPONENTS CO., LTD.  
R
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