5秒后页面跳转
BR46C16-60/V5 PDF预览

BR46C16-60/V5

更新时间: 2024-11-28 20:52:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 274K
描述
EEPROM, 2KX8, 60ns, Parallel, CMOS, PDIP24

BR46C16-60/V5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP24,.6Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:60 ns
命令用户界面:NO数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDIP-T24JESD-609代码:e0
长度:37.1 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.5 mm最大待机电流:0.035 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
切换位:NO宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

BR46C16-60/V5 数据手册

 浏览型号BR46C16-60/V5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BR46C16-60/V5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BR46C16-60/V5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BR46C16-60/V5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BR46C16-60/V5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BR46C16-60/V5的Datasheet PDF文件第7页 

与BR46C16-60/V5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR46C16F-55 ROHM

获取价格

EEPROM, 2KX8, 55ns, Parallel, CMOS, PDSO28
BR46C16F-60/V5 ROHM

获取价格

EEPROM, 2KX8, 60ns, Parallel, CMOS, PDSO28
BR46C16F-70 ROHM

获取价格

EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28
BR46C16F-70/V5 ROHM

获取价格

EEPROM, 2KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO28
BR46C16F-85 ROHM

获取价格

EEPROM, 2KX8, 85ns, Parallel, CMOS, PDSO28
BR-4704701% VISHAY

获取价格

General Purpose Inductor, 470uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core
BR-47047010% VISHAY

获取价格

General Purpose Inductor, 470uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core
BR-4704703% VISHAY

获取价格

General Purpose Inductor, 470uH, 3%, 1 Element, Ferrite-Core
BR-4704705% VISHAY

获取价格

General Purpose Inductor, 470uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core
BR-47471% VISHAY

获取价格

General Purpose Inductor, 47uH, 1%, 1 Element, Ferrite-Core