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BR25H080FJ-WE2

更新时间： 2024-02-27 09:49:26
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
17页 1148K
描述
HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type

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BR25H080FJ-WE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：LEAD FREE, SOP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.56
最大时钟频率 (fCLK)：5 MHzJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e2长度：4.9 mm
内存密度：8192 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：1024 words
字数代码：1000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.65 mm串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10宽度：3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

BR25H080FJ-WE2 数据手册

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TECHNICAL NOTE  
HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series  
SPI BUS Serial EEPROMs  
Supply voltage 2.5V~5.5V  
Operating temperature -40°C ~ +125°C type  
☆
☆
BR25H010-W, BR25H020-W, BR25H040-W, BR25H080-W, BR25H160-W, BR25H320-W  
☆ : Under development  
●Description  
BR25H□□□-W series is a serial EEPROM of SPI BUS interface method.  
●Features  
● High speed clock action up to 5MHz (Max.)  
● Wait function by HOLDB terminal.  
● Part or whole of memory arrays settable as read only memory area by program.  
● 2.5～5.5V single power source action most suitable for battery use.  
● Page write mode useful for initial value write at factory shipment.  
● Highly reliable connection by Au pad and Au wire.  
● For SPI bus interface (CPOL, CPHA)=(0, 0), (1, 1)  
● Auto erase and auto end function at data rewrite.  
● Low current consumption  
●Page write  
Number of  
pages  
16 Byte  
32 Byte  
At write action (5V)  
At read action (5V)  
: 1.5mA (Typ.)  
: 1.0mA (Typ.)  
BR25H010-W  
BR25H020-W  
BR25H040-W  
BR25H080-W  
BR25H160-W  
BR25H320-W  
Product  
number  
At standby action (5V) : 0.1μA (Typ.)  
● Address auto increment function at read action  
● Write mistake prevention function  
Write prohibition at power on.  
Write prohibition by command code (WRDI).  
Write prohibition by WPB pin.  
Write prohibition block setting by status registers (BP1, BP0)  
Write mistake prevention function at low voltage.  
● SOP8, SOP-J8 Package  
● Data at shipment Memory array: FFh, status register WPEN, BP1, BP0 : 0  
● Data kept for 40 years.  
● Data rewrite up to 1,000,000times.  
●BR25H series  
Power source  
Capacity Bit format  
Type  
SOP8 SOP-J8  
voltage  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
2.5~5.5V  
1Kbit  
2Kbit  
128×8  
256×8  
512×8  
1K×8  
2K×8  
4Kx8  
BR25H010-W  
BR25H020-W  
BR25H040-W  
BR25H080-W  
BR25H160-W  
BR25H320-W  
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
4Kbit  
8Kbit  
16Kbit  
32Kbit  
Ver A. Aug. 2007  
1234567...17

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与BR25H080FJ-WE2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR25H080FVJ-WE2 ROHM

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 		High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25H080FVJ-WTR ROHM

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 		High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25H080FVM-2C ROHM

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 		BR25H080-2C是SPI BUS接口方式的串行EEPROM。
BR25H080FVM-2CE2 ROHM

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 		Serial EEPROM Series Automotive EEPROM 125 Operation SPI BUS EEPROM
BR25H080FVM-2CTR ROHM

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 		BR25H080xxx-5AC系列是支持SPI BUS接口的8Kbit串行EEPROM。
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