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BR25H020FJ-WC

更新时间： 2024-02-13 12:47:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 440K
描述
EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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BR25H020FJ-WC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SOIC包装说明：LSOP,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.41最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：4.9 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：256 words
字数代码：256工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.65 mm串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3.9 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

BR25H020FJ-WC 数据手册

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Technical Note  
BR25H□□□-WC series  
●Command mode  
Ope code  
BR25H080-WC  
BR25H040-WC BR25H160-WC  
BR25H320-WC  
Command  
Contents  
BR25H010-WC  
BR25H020-WC  
WREN Write enable  
WRDI Write disable  
READ Read  
Write enable command  
Write disable command  
Read command  
0000  
0000  
0000  
0000  
0000  
0000  
*110  
*100  
*011  
*010  
*101  
*001  
0000  
0000  
0000  
0000  
0000  
0000  
*110  
*100  
0000  
0000  
0000  
0000  
0000  
0000  
0110  
0100  
0011  
0010  
0101  
0001  
A8011  
A8010  
*101  
WRITE Write  
Write command  
RDSR Read status register Status register read command  
WRSR Write status register Status register write command  
*001  
*=Don’t Care Bit.  
●Timing chart  
1. Write enable (WREN) / disable (WRDI) cycle  
WREN (WRITE ENABLE): Write enable  
CSB  
SCK  
SI  
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
0
0
*1  
1
1
0
High-Z  
SO  
*1 BR25H010/020/040-WC= Don’t care  
BR25H080/160/320-WC= “0” input  
Fig.33 Write enable command  
WRDI (WRITE DISABLE): Write disable  
CSB  
SCK  
SI  
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
0
0
*1  
1
0
0
High-Z  
SO  
*1 BR25H010/020/040-WC= Don’t care  
BR25H080/160/320-WC= “0” input  
Fig.34 Write disable  
○This IC has write enable status and write disable status. It is set to write enable status by write enable command, and  
it is set to write disable status by write disable command. As for these commands, set CSB LOW, and then input the  
respective ope codes. The respective commands accept command at the 7-th clock rise. Even with input over 7 clocks,  
command becomes valid.  
When to carry out write and write status register command, it is necessary to set write enable status by the write enable  
command. If write or write status register command is input in the write disable status, commands are cancelled. And even  
in the write enable status, once write and write status register command is executed, it gets in the write disable status.  
After power on, this IC is in write disable status.  
www.rohm.com  
2010.08 - Rev.D  
8/19  
© 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1...567891011...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR25H020FJ-WCE2 ROHM

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 		EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8
BR25H020FJ-WE2 ROHM

获取价格

 		HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY ser
BR25H020FVJ-WE2 ROHM

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 		EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8
BR25H020FVJ-WTR ROHM

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 		High Reliability Serial EEPROMs SPI BUS Serial EEPROMs
BR25H020FVM-2C ROHM

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BR25H020FVM-WE2 ROHM

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 		EEPROM, 256X8, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, MSOP-8

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