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BR252W PDF预览

BR252W

更新时间： 2024-11-29 20:31:31
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 200V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, BR-25W, 4 PIN

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BR252W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, BR-25W, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.69
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：200 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：S-PUFM-W4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：25 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向电流：0.00001 µA子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：WIRE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BR252W 数据手册

 浏览型号BR252W的Datasheet PDF文件第2页 
BR2505  
THRU  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL SPECIFICATION  
BR2510  
SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 25 Amperes  
FEATURES  
* Superior thermal desing  
* 300 amperes surge rating  
* 1/4// universal faston terminal  
* Hole thru for # 8 screw  
MECHANICAL DATA  
* UL listed the recognized component directory, file #E94233  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
BR-25  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
BR-25W  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
BR2505 BR251  
BR152  
200  
BR254  
400  
BR256  
600  
BR258 BR2510 UNITS  
V
RRM  
RMS  
50  
100  
800  
1000  
Volts  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
V
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
25  
420  
600  
560  
800  
700  
Volts  
Volts  
Amps  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
V
DC  
100  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Output Current at Tc = 55oC  
IO  
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
300  
4
Amps  
0C/W  
R θ J C  
R θ J A  
Typical Thermal Resistance from junction to case  
Typical Thermal Resistance from junction to ambient  
22  
0C/W  
0 C  
T
J,  
T
STG  
-55 to + 150  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (At TA  
= 25oC unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
BR2505 BR251  
BR252  
BR254  
BR256  
BR258 BR2510 UNITS  
Maximum Forward Voltage Drop per element at 12.5A DC  
VF  
1.1  
5.0  
Volts  
= 25oC  
uAmps  
@T  
@T  
A
C
Maximum Reverse Current at Rated  
DC Blocking Voltage per element  
IR  
= 100oC  
0.5  
mAmps  
2005-3  
REV: A  
NOTE:1. Suffix ”W” for wire type  
2. “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BR25320N-10SU-1.8 ROHM

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 		Supply voltage 1.8V~5.5V/Operating temperature -40C~+85C type
BR25320N-10SU-2.7 ROHM

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 		TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
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 		SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
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