是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.7 |
其他特性: | SEATED HT-CALCULATED | 最大时钟频率 (fCLK): | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值: | 40 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDDR | JESD-30 代码: | R-PDIP-T8 |
长度: | 9.3 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.21 mm |
串行总线类型: | MICROWIRE | 最大待机电流: | 0.000002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.0025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
写保护: | HARDWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BR24T256-WZ | ROHM |
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EEPROM, | |
BR24T32F | ROHM |
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High Reliability Serial EEPROMs | |
BR24T32FJ-W | ROHM |
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High Reliability Serial EEPROMs | |
BR24T32FJ-WE2 | ROHM |
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EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | |
BR24T32FJ-WG | ROHM |
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High Reliability Serial EEPROMs | |
BR24T32FJWGE2 | ROHM |
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High Reliability Serial EEPROMs | |
BR24T32FJ-WGE2 | ROHM |
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EEPROM, 4KX8, Serial, CMOS, PDSO8, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8 | |
BR24T32FJWGTR | ROHM |
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High Reliability Serial EEPROMs | |
BR24T32FJ-WGTR | ROHM |
获取价格 |
High Reliability Serial EEPROMs | |
BR24T32FVJFVMWGE2 | ROHM |
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High Reliability Serial EEPROMs |