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BR1006

更新时间： 2024-02-28 15:16:20
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2页 27K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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BR1006 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：S-PUFM-W4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.64
其他特性：UL RECOGNIZED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：S-PUFM-W4最大非重复峰值正向电流：240 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BR1006 数据手册

 浏览型号BR1006的Datasheet PDF文件第2页 
SILICON BRIDGE RECTIFIERS  
BR10  
BR1000 - BR1010  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 10 Amperes  
0.520 (13.20)  
0.480 (12.20)  
0.158 (4.00)  
AC  
0.142 (3.60)  
FEATURES :  
0.77 (19.56)  
0.73 (18.54)  
* High current capability  
* High surge current capability  
* High reliability  
0.290 (7.36)  
0.210 (5.33)  
AC  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Ideal for printed circuit board  
0.052 (1.32)  
0.048 (1.22)  
* Pb / RoHS Free  
0.75 (19.1)  
Min.  
MECHANICAL DATA :  
0.30 (7.62)  
0.25 (6.35)  
* Case : Reliable low cost construction  
utilizing molded plastic technique  
* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant  
* Lead : Axial lead solderable per  
MIL - STD 202 , Method 208 guaranteed  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Any  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 6.1 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
°
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
RATING  
SYMBOL BR1000 BR1001 BR1002 BR1004 BR1006 BR1008 BR1010 UNIT  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
10  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
A
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
IF(AV)  
Maximum Average Forward Current Tc=55°C  
Peak Forward Surge Current Single half sine wave  
Superimposed on rated load (JEDEC Method)  
Current Squared Time at t < 8.3 ms.  
IFSM  
300  
A
I2t  
VF  
A2S  
V
160  
1.0  
Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 5 A  
IR  
10  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
Ta = 25 °C  
mA  
mA  
IR(H)  
200  
Ta = 100 °C  
2.5  
°C/W  
°C  
RqJC  
TJ  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 150  
TSTG  
°C  
Notes :  
1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 3.2" x 3.2" x 0.12" (8.2cm.x 8.2cm.x 0.3cm.) Al.-Finned Plate.  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 24, 2005  
12

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