是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.65 |
最大暗电源: | 5 nA | JESD-609代码: | e0 |
安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT | 最高工作温度: | 100 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最长响应时间: | 2.5e-9 s |
最大反向电压: | 60 V | 半导体材料: | GaAs |
子类别: | Photo Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BPV10_08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon PIN Photodiode, RoHS Compliant |
![]() |
BPV10NF | VISHAY |
获取价格 |
High Speed Silicon PIN Photodiode |
![]() |
BPV10NF-CS21 | VISHAY |
获取价格 |
Optoelectronic Device, |
![]() |
BPV11 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Phototransistor |
![]() |
BPV11_08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant |
![]() |
BPV11-AS12 | VISHAY |
获取价格 |
Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C) |
![]() |
BPV11-AS21 | VISHAY |
获取价格 |
Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C) |
![]() |
BPV11-ASZ | VISHAY |
获取价格 |
暂无描述 |
![]() |
BPV11F | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Phototransistor |
![]() |
BPV11F_08 | VISHAY |
获取价格 |
Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant |
![]() |