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BPV10NF-CS21

更新时间： 2024-09-24 21:17:47

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威世 - VISHAY		光电
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5页	127K
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Optoelectronic Device,

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BPV10NF-CS21 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
配置：	SINGLE	最大暗电源：	5 nA
红外线范围：	YES	标称光电流：	0.055 mA
功能数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	PIN PHOTODIODE
峰值波长：	940 nm	最小反向击穿电压：	60 V
形状：	ROUND	尺寸：	5 mm
Base Number Matches：	1

BPV10NF-CS21 数据手册

BPV10NF

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

Silicon PIN Photodiode

FEATURES

• Package type: leaded

• Package form: T-1¾

• Dimensions (in mm): Ø 5

• Radiant sensitive area (in mm²): 0.78

• Leads with stand-off

• High radiant sensitivity

• Daylight blocking filter matched with 870 nm to 950 nm

emitters

16140-1

• High bandwidth: > 100 MHz at V_R= 12 V

• Fast response times

• Angle of half sensitivity:  = 20ꢀ

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DESCRIPTION

BPV10NF is a PIN photodiode with high speed and high

radiant sensitivity in black, T-1¾ plastic package with

daylight blocking filter. Filter bandwidth is matched with

870 nm to 950 nm IR emitters.

APPLICATIONS

• High speed detector for infrared radiation

• Infrared remote control and free air data transmission

systems, e.g. in combination with TSFFxxxx series IR

emitters

PRODUCT SUMMARY

COMPONENT

I_ra(μA)

 (deg)

_0.5(nm)

BPV10NF

790 to 1050

Note

•

Test condition see table “Basic Characteristics”

ORDERING INFORMATION

ORDERING CODE

PACKAGING

REMARKS

PACKAGE FORM

T-1¾

BPV10NF

Bulk

Reel

MOQ: 4000 pcs, 4000 pcs/bulk

MOQ: 5000 pcs, 1000 pcs/reel

BPV10NF-CS21

T-1¾

Note

MOQ: minimum order quantity

•

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_amb= 25 ꢀC, unless otherwise specified)

PARAMETER

TEST CONDITION

SYMBOL

VALUE

UNIT

Reverse voltage

V_R

215

Power dissipation

T_amb 25 ꢀC

P_V

ꢀC

Junction temperature

Operating temperature range

Storage temperature range

Soldering temperature

Thermal resistance junction / ambient

T_j

100

T_amb

T_stg

-40 to +100

260

ꢀC

t  5 s, 2 mm from body

Connected with Cu wire, 0.14 mm²

T_sd

ꢀC

R_thJA

350

K/W

Rev. 1.9, 29-May-15

Document Number: 81503

For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BPV11	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Phototransistor
BPV11_08	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant
BPV11-AS12	VISHAY	获取价格	Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)
BPV11-AS21	VISHAY	获取价格	Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)
BPV11-ASZ	VISHAY	获取价格	暂无描述
BPV11F	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Phototransistor
BPV11F_08	VISHAY	获取价格	Silicon NPN Phototransistor, RoHS Compliant
BPV11-MS12	VISHAY	获取价格	Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)
BPV11-MS21	VISHAY	获取价格	Photo Transistor, 850nm, 0.05A I(C)
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