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BP1L2Q-A

更新时间： 2024-01-03 05:29:50

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日电电子 - NEC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	113K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BP1L2Q-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BP1L2Q-A 数据手册

BP1 SERIES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

V^CBO

V^CEO

V^EBO

I^C(DC)

I^C(pulse)^{Note 1}

I^B(DC)

P^T

Ratings

−25

Unit

Collector to base volgate

Colletor to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current (DC)

Collector current (Pulse)

Base current (DC)

−25

−10

−0.7

−1.0

−0.02

250

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

°C

T^j

150

−55 to +150

T^stg

Note 1 PW ≤ 10 ms, duty cycle ≤ 50 %

BP1A4A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −22 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

−

−100

h^FE1^{Note 2}

h^FE2^{Note 2}

h^FE3^{Note 2}

V^CE(sat)^{Note 2}

V^IL^{Note 2}

R¹

200

100

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.1 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.5 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.7 A

I^C= −0.3 A, I^B= −6 mA

V^CE= −5.0 V, I^C= −100 µA

−

DC current gain

−

DC current gain

−0.28

−0.4

−0.3

−

Collector saturation voltage

Low level input voltage

Input resistance

−

Ω

kΩ

E-to-B resistance

R²

Note 2 PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

BP1L2Q

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)

Parameter

Collector cutoff current

DC current gain

Symbol

I^CBO

Conditions

V^CB= −22 V, I^E= 0

MIN.

TYP.

MAX.

Unit

−

−100

h^FE1^{Note 2}

h^FE2^{Note 2}

h^FE3^{Note 2}

V^OL^{Note 2}

V^IL^{Note 2}

R¹

150

100

350

300

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.1 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.5 A

V^CE= −2.0 V, I^C= −0.7 A

V^IN= −5.0 V, I^C= −0.3 A

V^CE= −5.0 V, I^C= −100 µA

−

DC current gain

−

DC current gain

200

−0.30

−0.4

−0.3

611

Low level output voltage

Low level input voltage

Input resistance

Ω

329

470

4.7

kΩ

E-to-B resistance

R²

3.29

6.11

Note 2 PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2 %

Data Sheet D11740EJ2V0DS

123 4 5 6

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