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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.46 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 175 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 20 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.75 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BLX83 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
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| BLX84 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
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| BLX85 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
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| BLX85063 | BELLING |
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BLX85063 是一款低功耗 CMOS 实时时钟/日历芯片。增加了偏移寄存器，可对时钟进 |
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| BLX8563 | BELLING |
获取价格 |
BLX8563 是一款低功耗 CMOS 实时时钟/日历芯片。 |
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| BLX86 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
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| BLX87 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3 |
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| BLX91A | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 30V 2.5A 4-Pin CRPM |
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| BLX91A | PHILIPS |
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Transistor, |
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| BLX91A | NXP |
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TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal |
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