BLX92A

更新时间： 2024-02-17 15:36:11

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLX92A 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
最大集电极电流 (IC)：	0.7 A	配置：	Single
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	6 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

BLX92A 数据手册

BLX92A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The ASI BLX92A is Designed for

transmitting applications in class-A, B

or C with a supply voltage up to 28 V

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

45°

FEATURES:

• High Gain - 11.0 dB Min.

• Omnigold™ Metallization System

MAXIMUM RATINGS

#8-32 UNC

0.7 A

65 V

I_C

V_CB

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

6.0 W @ T_C= 25 °C

-65 to +200 °C

-65 to +150 °C

9.8 °C/W

.572 / 14.53

.130 / 3.30

.245 / 6.22

.255 / 6.48

T_STG

θ_JC

.640 / 16.26

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CBO

BV_CES

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 10 mA

I_C= 25 mA

I_E= 1.0 mA

V_CE= 5.0 V

4.0

I_C= 100 mA

---

f_T

V_CE= 5.0 V

1.2

6.5

GHz

C_c

C_e

_CB= 10 V

_EB= 0 V

f = 1.0 MHz

P_G

V_CE= 28 V

P_OUT= 2.5 W

f = 470 MHz

η_C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLX93A	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLX94A	ASI	获取价格	NPN RF POWER TRANSISTOR
BLX94A	NXP	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
BLX94C	NXP	获取价格	UHF power transistor
BLX95	NXP	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
BLX95	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 30V 2.5A 4-Pin CRPM
BLX96	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
BLX96	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 30V 2.5A 4-Pin CRPM
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