BLX96

更新时间： 2024-02-22 22:11:00

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ASI		晶体射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	18K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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BLX96 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.4 A	配置：	Single
最高工作温度：	200 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	6.3 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO

BLX96 数据手册

BLX96

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

The BLX96 is Designed for Class A

Television Band IV- V Amplifier

45°

Applications Requiring High Linearity.

FEATURES:

• P_G= 7.0 dB Typical at 860 MHz

• IMD₃= -63 dBc Typ. at P_REF= 0.5 W

• Omnigold™ Metallization System

#8-32 UNC

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

1.0 A

I_C

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

45 V

V_CB

P_DISS

16 W @ T_C= 25 ^OC

.572 / 14.53

.130 / 3.30

-65 ^OC to +200 ^OC

T_J

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.640 / 16.26

-65 ^OC to +150 ^OC

11 ^OC/W

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

T_STG

θ_JC

ORDER CODE: ASI10784

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 40 mA

I_C= 2 mA

3.5

BV_CER

BV_CBO

BV_EBO

h_FE

R_BE= 10 Ω

I_E= 0.5 mA

V_CE= 20 V

I_C= 250 mA

150

---

V_CB= 20 V

f = 1.0 MHz

C_OB

V_CE= 25 V

F = 860 MHz

P_REF= 0.5 W

6.0

7.0

P_G

-60

IMD₃

dBc

Vision = -8.0 dB Sound = -7.0 dB Chroma = -16 dB

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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