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BLT82-T

更新时间: 2024-01-26 21:16:56
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 64K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012AA, BIP RF Small Signal

BLT82-T 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.38
最大集电极电流 (IC):1 A集电极-发射极最大电压:10 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:MS-012AA
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:1
端子数量:8最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1.9 W最小功率增益 (Gp):8 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BLT82-T 数据手册

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