Datasheet > 晶体管 > 射频场效应晶体管> BLS6G3135-120

BLS6G3135-120

更新时间： 2024-11-18 03:05:59

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恩智浦 - NXP		晶体射频场效应晶体管雷达放大器局域网
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11页	68K
描述
LDMOS S-Band radar power transistor

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BLS6G3135-120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, CERAMIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.01
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.2 A	最大漏极电流 (ID)：	7.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CDSO-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	225 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BLS6G3135-120 数据手册

BLS6G3135-120;

BLS6G3135S-120

LDMOS S-Band radar power transistor

Rev. 01 — 14 August 2007

Preliminary data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 3.1 GHz to 3.5 GHz

range.

Table 1.

Typical performance

Typical RF performance at T_case= 25 °C; t_p= 300 µs; δ = 10 %; I_Dq= 100 mA; in a class-AB

production test circuit.

Mode of operation

V_DS

(V)

P_L

G_p

(dB) (%)

11 43

η_D

t_r

t_f

(GHz)

(W)

120

(ns)

pulsed RF

3.1 to 3.5 32

CAUTION

This device is sensitive to ElectroStatic Discharge (ESD). Therefore care should be taken

during transport and handling.

1.2 Features

I Typical pulsed RF performance at a frequency of 3.1 GHz to 3.5 GHz, a supply voltage

of 32 V, an I_Dqof 100 mA, a t_pof up to 300 µs with δ of 10 %:

N Output power = 120 W

N Gain = 11 dB

N Efﬁciency = 43 %

I Easy power control

I Integrated ESD protection

I Excellent ruggedness

I High efﬁciency

I Excellent thermal stability

I Designed for broadband operation (3.1 GHz to 3.5 GHz)

I Internally matched for ease of use

I Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances

(RoHS)

12 3 4 5 6 7...11

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BLS6G3135-120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BLS6G3135-120,112	NXP	功能相似	BLS6G3135-120
BLS6G3135-20,112	NXP	功能相似	BLS6G3135-20
BLS6G3135-20	NXP	功能相似	LDMOS S-Band radar power transistor

与BLS6G3135-120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BLS6G3135-120,112	NXP	获取价格	BLS6G3135-120
BLS6G3135-120_08	NXP	获取价格	LDMOS S-Band radar power transistor
BLS6G3135-20	NXP	获取价格	LDMOS S-Band radar power transistor
BLS6G3135-20,112	NXP	获取价格	BLS6G3135-20
BLS6G3135S-120	NXP	获取价格	LDMOS S-Band radar power transistor
BLS6G3135S-120,112	ETC	获取价格	RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
BLS6G3135S-20	NXP	获取价格	LDMOS S-Band radar power transistor
BLS6G3135S-20,112	NXP	获取价格	BLS6G3135S-20
BLS7	LITTELFUSE	获取价格	Axial Lead and Cartridge Fuses- Special Midget
BL-S700A-11	BETLUX	获取价格	180.0mm (7.0) Single digit display series

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