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BGD885_15

更新时间： 2024-01-29 20:19:01

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锦美电子 - JMNIC		/
页数	文件大小	规格书
8页	57K
描述
860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier

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BGD885_15 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

860 MHz, 17 dB gain power doubler ampliﬁer

BGD885

input

output

10 V

= 24 V

MEA094-2

Fig.2 Test circuit.

List of components (see Fig.2)

COMPONENT

DESCRIPTION

VALUE

ceramic multilayer capacitor

resistor

1 nF (max.)

1 nF

56 Ω, 2 W

2001 Nov 02

1 2 345 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BGD885_2015	JMNIC	获取价格	860 MHz, 17 dB gain power doubler amplifier
BGD902	NXP	获取价格	860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplifier
BGD902,112	NXP	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-
BGD902L	NXP	获取价格	CATV amplifier module
BGD902L,112	NXP	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT1
BGD902MI	NXP	获取价格	CATV amplifier modules
BGD904	NXP	获取价格	CATV amplifier modules
BGD904,112	NXP	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT-
BGD904L	NXP	获取价格	CATV amplifier module
BGD904L,112	NXP	获取价格	RF/Microwave Amplifier, 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER, SOT1