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BFX30

更新时间: 2024-02-11 03:20:37
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 58K
描述
PNP switching transistor

BFX30 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.39
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):0.6 A
集电极-发射极最大电压:65 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHz最大关闭时间(toff):300 ns
最大开启时间(吨):45 nsBase Number Matches:1

BFX30 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFX30  
PNP switching transistor  
1997 Apr 16  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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