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BFW92A

更新时间： 2024-02-13 21:44:48

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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7页	89K
描述
Silicon NPN Planar RF Transistor

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BFW92A 数据手册

BFW92A

Vishay Telefunken

Silicon NPN Planar RF Transistor

Electrostatic sensitive device.

Observe precautions for handling.

Applications

Wide band RF amplifier up to GHz range.

Features

High power gain

Low noise figure

94 9308

13623

BFW92A Marking: BFW92A

Plastic case (TO 50)

1 = Collector, 2 = Emitter, 3 = Base

Absolute Maximum Ratings

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

Value

2.5

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

CBO

CEO

EBO

≤ 60 C

tot

300

150

–55 to +150

amb

stg

Maximum Thermal Resistance

amb

= 25 C, unless otherwise specified

Parameter

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

300

Unit

K/W

Junction ambient on glass fibre printed board (40 x 25 x 1.5) mm

plated with 35 m Cu

Document Number 85041

Rev. 3, 20-Jan-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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