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BFR99

更新时间: 2024-11-24 03:21:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
4页 46K
描述
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

BFR99 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.81
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:25 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-72
JESD-30 代码:O-MBCY-W4JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.225 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2000 MHzBase Number Matches:1

BFR99 数据手册

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BFR99  
DESCRIPTION  
TheBFR99 is asiliconplanar epitaxial PNPtransistor  
in Jedec TO-72 metal case, particularly designed for  
wide band common-emitter linear amplifier applica-  
tions up to 1GHz. It features high fT, low reverse ca-  
pacitance, good cross-modulation properties and  
low noise.  
TO-72  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector–base Voltage (IE = 0)  
Value  
– 25  
– 25  
– 3  
Unit  
V
V
Collector–emitter Voltage (IB = 0)  
Emitter–base Voltage (IC = 0)  
Collector Current  
V
– 50  
mA  
at Tamb 25 °C  
at Tcase 25 °C  
Pto t  
Total Power Dissipation  
225  
360  
mW  
mW  
Tstg, Tj  
Storage and Junction Temperature  
– 55 to 200  
°C  
October 1988  
1/4  

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