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BFR460L3

更新时间： 2024-09-23 22:36:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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5页	100K
描述
NPN Silicon RF Transistor

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BFR460L3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	0.45 pF
集电极-发射极最大电压：	4.5 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	90	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	22000 MHz	Base Number Matches：	1

BFR460L3 数据手册

BFR460L3

NPN Silicon RF Transistor

Preliminary data

For low voltage / low current applications

Ideal for VCO modules and low noise amplifiers

Low noise figure: 1.1 dB at 1.8 GHz

World's smallest SMD leadless package

Excellent ESD performance (>1500V HBM)

High f of 22 GHz

ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution!

Type

BFR460L3

Marking

Pin Configuration

2 = E 3 = C

Package

TSLP-3-1

1 = B

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

4.5

1.5

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CEO

CES

CBO

EBO

°C

200

Base current

1)2)

Total power dissipation

108°C

tot

150

-65 ... 150

Junction temperature

Ambient temperature

Storage temperature

stg

Thermal Resistance

Parameter

Junction - soldering point

Symbol

Value

Unit

K/W

210

thJS

due to Maximum Ratings

tot

T is measured on the collector lead at the soldering point to the pcb

For calculation of R

please refer to Application Note Thermal Resistance

thJA

May-14-2003

12 3 4 5

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