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BFR505T

更新时间: 2024-09-23 22:39:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
16页 107K
描述
NPN 9 GHz wideband transistor

BFR505T 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-75
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.75其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.018 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):9000 MHz
Base Number Matches:1

BFR505T 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BFR505T  
NPN 9 GHz wideband transistor  
Product specification  
2000 Mar 14  
Supersedes data of 1999 Feb 11  

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