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BFG520W/X,115

更新时间: 2024-01-01 04:32:45
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 308K
描述
BFG520W - NPN 9 GHz wideband transistor SOP 4-Pin

BFG520W/X,115 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOP针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:7.96
其他特性:LOW NOISE, HIGH RELIABILITY外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.07 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G4JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):9000 MHzBase Number Matches:1

BFG520W/X,115 数据手册

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NXP Semiconductors  
Product specification  
NPN 9 GHz wideband transistors  
BFG520W; BFG520W/X  
MLB818  
MLB819  
30  
30  
handbook, halfpage  
handbook, halfpage  
d
2
(dB)  
d
im  
(dB)  
40  
50  
60  
70  
40  
50  
60  
70  
0
0
10  
20  
30  
40  
10  
20  
30  
40  
I
(mA)  
I
(mA)  
C
C
Vo = 275 mV; fp + fq fr = 793.25 MHz; VCE = 6 V;  
RL = 75 ; Tamb = 25 °C.  
Vo = 75 mV; fp + fq = 810 MHz; VCE = 6 V;  
RL = 75 Tamb = 25 °C.  
Fig.10 Intermodulation distortion as a function  
of collector current; typical values.  
Fig.11 Second order intermodulation distortion as a  
function of collector current; typical values.  
MLB820  
MLB821  
20  
4
handbook, halfpage  
handbook, halfpage  
G
F
(dB)  
ass  
f = 900 MHz  
1000 MHz  
(dB)  
15  
3
f = 2000 MHz  
2000 MHz  
2
10  
5
1000 MHz  
900 MHz  
500 MHz  
1
0
0
2
2
1
10  
10  
1
10  
10  
I
(mA)  
I
(mA)  
C
C
VCE = 6 V.  
VCE = 6 V.  
Fig.12 Minimum noise figure as a function  
of collector current; typical values.  
Fig.13 Associated available gain as a function  
of collector current; typical values.  
Rev. 04 - 21 November 2007  
7 of 15  

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