5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> BDX34BAF
BDX34BAF PDF预览

BDX34BAF

更新时间： 2024-11-24 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 138K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

BDX34BAF 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.68外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：750
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：70 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

BDX34BAF 数据手册

 浏览型号BDX34BAF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BDX34BAF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BDX34BAF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BDX34BAF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BDX34BAF的Datasheet PDF文件第6页 
Order this document  
by BDX33B/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.  
•
•
High DC Current Gain — h = 2500 (typ.) at I = 4.0  
FE C  
Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc  
V
V
= 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B  
= 100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
= 2.5 Vdc (max.) at I = 3.0 Adc — BDX33B, 33C/34B, 34C  
Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors  
TO–220AB Compact Package  
*Motorola Preferred Device  
V
CE(sat)  
C
•
•
DARLINGTON  
10 AMPERE  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
MAXIMUM RATINGS  
POWER TRANSISTORS  
80–100 VOLTS  
70 WATTS  
BDX33B  
BDX34B  
BDX33C  
BDX34C  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
80  
80  
100  
100  
V
CB  
V
EB  
5.0  
Collector Current — Continuous  
Peak  
I
C
10  
15  
Base Current  
I
B
0.25  
Adc  
Total Device Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
70  
0.56  
Watts  
W/ C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
CASE 221A–06  
TO–220AB  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.78  
C/W  
θJC  
80  
60  
40  
20  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
C)  
140  
160  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995
123456

中文翻译

下载PDF

与BDX34BAF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDX34BAJ MOTOROLA

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast
BDX34BAJ ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
BDX34BAK ONSEMI

获取价格

 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX34BAN ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
BDX34BAS ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
BDX34BAU ONSEMI

获取价格

 		暂无描述
BDX34BBA ONSEMI

获取价格

 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX34BBC ONSEMI

获取价格

 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
BDX34BBD ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, BIP General Pu
BDX34BBG ONSEMI

获取价格

 		10A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN

与BDX34BAF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证