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BDC02D

更新时间： 2024-11-13 22:27:27
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
One Watt Amplifier Transistor

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BDC02D 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：30 pF集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：2.5 W
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.7 V
Base Number Matches：1

BDC02D 数据手册

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by BDC02D/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
2
3
BASE  
1
2
3
1
EMITTER  
CASE 29–05, STYLE 14  
TO–92 (TO–226AE)  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
BDC02D  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–100  
–100  
–5.0  
–0.5  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.0  
8.0  
Watts  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
2.5  
20  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
125  
50  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
V
–100  
—
—
Vdc  
Adc  
(BR)CEO  
(I = –10 mA, I = 0)  
C
B
Collector Cutoff Current  
(V = –100 V, I = 0)  
I
–0.1  
–100  
CBO  
CB  
Emitter Cutoff Current  
(I = 0, V = –5.0 V)  
E
I
—
nAdc  
EBO  
C
EB  
Motorola, Inc. 1996
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BDC02D18 MOTOROLA

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 		500mA, 100V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BDC02DRL MOTOROLA

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