5秒后页面跳转
BD800 PDF预览

BD800

更新时间: 2024-02-15 07:49:14
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 142K
描述
EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS

BD800 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):7 A
集电极-发射极最大电压:80 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):15JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:65 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):3 MHzBase Number Matches:1

BD800 数据手册

 浏览型号BD800的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BD800的Datasheet PDF文件第3页 

与BD800相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BD80016 MOTOROLA 7 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

获取价格

BD80016A MOTOROLA 7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

获取价格

BD800A MOTOROLA Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

获取价格

BD800AF MOTOROLA Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

获取价格

BD800AJ MOTOROLA 7A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

获取价格

BD800C MOTOROLA Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti

获取价格