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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 7 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 功耗环境最大值： | 65 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD801 | INTERSIL |
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EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
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| BD801 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| BD801 | MOTOROLA |
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Plastic High Power Silicon NPN Transistor |
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| BD801 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| BD80116 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD80116A | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD801A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD801AF | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BD801AJ | MOTOROLA |
获取价格 |
7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD801C | MOTOROLA |
获取价格 |
7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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