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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 65 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD801 | INTERSIL |
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EPITAXIAL-BASE,SILICON N-P-N AND P-N-P VERSAWATT TRANSISTORS |
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| BD801 | ISC |
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isc Silicon NPN Power Transistor |
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| BD801 | MOTOROLA |
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Plastic High Power Silicon NPN Transistor |
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| BD801 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| BD80116 | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD80116A | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD801A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD801AF | MOTOROLA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| BD801AJ | MOTOROLA |
获取价格 |
7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD801C | MOTOROLA |
获取价格 |
7A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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