BD744C

更新时间： 2024-01-07 23:45:12

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管开关局域网
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描述
PNP SILICON POWER TRANSISTORS

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BD744C 数据手册

BD744, BD744A, BD744B, BD744C

PNP SILICON POWER TRANSISTORS

TYPICAL CHARACTERISTICS

TYPICAL DC CURRENT GAIN

COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT

TCS638AA

TCS638AB

1000

100

-10

V_CE= -4 V

t_p= 300 µs, duty cycle < 2%

I_C

T_C= 125°C

= 10

I_B

T_C= 25°C

T_C= -55°C

t_p= 300µs, duty cycle < 2%

-1·0

-0·1

T_C= -55°C

T_C= 25°C

T_C= 125°C

-0·01

-0·1

-1·0

-10

-100

-1·0

-10

-100

I_C- Collector Current - A

Figure 1.

Figure 2.

MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS

MAXIMUM FORWARD-BIAS

SAFE OPERATING AREA

SAS638AA

-100

t_p= 1 ms,

d = 0.1 = 10%

t_p= 10 ms,

d = 0.1 = 10%

t_p= 50 ms,

-10

-1·0

d = 0.1 = 10%

DC Operation

-0·1

BD744

BD744A

BD744B

BD744C

-0·01

-1·0

-10

-100

-1000

V_CE- Collector-Emitter Voltage - V

Figure 3.

AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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BD744C 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BD744C-S	BOURNS	完全替代	暂无描述

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BD744C-S	BOURNS	获取价格	暂无描述
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BD745	BOURNS	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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