BD743B

更新时间： 2024-02-11 00:09:02

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伯恩斯 - BOURNS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	110K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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BD743B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, TO-220, FM-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD743B 数据手册

BD743, BD743A, BD743B, BD743C

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

TYPICAL CHARACTERISTICS

TYPICAL DC CURRENT GAIN

COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT

TCS637AA

TCS637AB

100

I_C

T_C= 125°C

= 10

I_B

T_C= 25°C

T_C= -55°C

t_p= 300µs, duty cycle < 2%

1·0

0·1

T_C= -55°C

T_C= 25°C

V_CE= 4 V

T_C= 125°C

t_p= 300 µs, duty cycle < 2%

0·1

0·01

0·1

1·0

100

1·0

100

I_C- Collector Current - A

Figure 1.

Figure 2.

BASE-EMITTER VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT

TCS637AC

V_CE= 4 V

t_p= 300µs, duty cycle < 2%

1·0

T_C= -55°C

T_C= 25°C

T_C= 125°C

0·1

1·0

100

I_C- Collector Current - A

Figure 3.

AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD743B-S	BOURNS	Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
BD743C	SAVANTIC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格
BD743C	COMSET	SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD743C	POINN	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD743C	BOURNS	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	获取价格
BD743C	ISC	Silicon NPN Power Transistors	获取价格