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BD743A-S PDF预览

BD743A-S

更新时间： 2024-01-16 18:03:04
品牌 Logo 应用领域
伯恩斯 - BOURNS 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 162K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC, TO-220, FM-3

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BD743A-S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, TO-220, FM-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：5JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：90 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BD743A-S 数据手册

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BD743, BD743A, BD743B, BD743C  
NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
electrical characteristics at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
BD743  
45  
60  
Collector-emitter  
BD743A  
BD743B  
BD743C  
BD743  
V(BR)CEO  
IC  
=
30 mA  
IB = 0  
(see Note 5)  
V
breakdown voltage  
80  
100  
VCE  
VCE  
VCE  
=
50 V  
70 V  
90 V  
VBE = 0  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
5
=
=
VBE = 0  
VBE = 0  
VBE = 0  
VBE = 0  
VBE = 0  
VBE = 0  
VBE = 0  
BD743A  
BD743B  
BD743C  
BD743  
Collector cut-off  
current  
VCE = 110 V  
ICBO  
mA  
VCE  
VCE  
VCE  
=
=
=
50 V  
70 V  
90 V  
TC = 125°C  
TC = 125°C  
TC = 125°C  
TC = 125°C  
BD743A  
BD743B  
BD743C  
BD743/743A  
BD743B/743C  
5
5
VCE = 110 V  
5
Collector cut-off  
current  
VCE  
VCE  
=
=
30 V  
60 V  
IB = 0  
B = 0  
0.1  
0.1  
ICEO  
IEBO  
mA  
mA  
I
Emitter cut-off  
current  
VEB  
=
5 V  
IC = 0  
0.5  
VCE  
VCE  
VCE  
=
=
=
4 V  
4 V  
IC  
IC  
=
=
1 A  
5 A  
40  
20  
5
Forward current  
transfer ratio  
hFE  
(see Notes 5 and 6)  
150  
4 V  
I
C = 15 A  
IC 5 A  
C = 15 A  
IC 5 A  
C = 15 A  
Collector-emitter  
saturation voltage  
Base-emitter  
IB  
IB  
=
=
0.5 A  
5 A  
=
1
3
1
3
VCE(sat)  
VBE  
(see Notes 5 and 6)  
(sNotes d 6)  
= 1 z  
V
V
I
VCE  
VCE  
=
=
4 V  
=
voltage  
4 V  
I
Small signal forward  
current transfer ratio  
Small signal forward  
current transfer ratio  
hfe  
VCE  
VCE  
=
=
10 V  
10 V  
IC  
=
=
1 A  
1 A  
25  
5
|hfe|  
f = 1 MHz  
NOTES: 5. These parameters must be mered sing pulse echniques, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%.  
6. These parameters must bmead uvotage-sensing contacts, separate from the current carrying contacts.  
thermal characteristics  
PARAMETER  
Junction to case thermal resistance  
Junction to free air thermal resistance  
MIN  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
RθJC  
RθJA  
1.4  
°C/W  
°C/W  
62.5  
resistive-load-switching characteristics at 25°C case temperature  
†
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
TYP  
MAX  
UNIT  
td  
tr  
ts  
tf  
Delay time  
Rise time  
Storage time  
Fall time  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
I
C = 5 A  
IB(on) = 0.5 A  
IB(off) = -0.5 A  
350  
500  
400  
V
BE(off) = -4.2 V  
RL = 6 Ω  
tp = 20 µs, dc ≤ 2%  
†
Voltage and current values shown are nominal; exact values vary slightly with transistor parameters.  
AUGUST 1978 - REVISED SEPTEMBER 2002  
Specifications are subject to change without notice.  
2
1234

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