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BD70H12G-2C

更新时间： 2024-11-29 11:08:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		监控
页数	文件大小	规格书
20页	1295K
描述
ROHM的CMOS监控用电压检测器（复位）IC BD70H12G-2C是一款采用CMOS工艺、且实现了高精度和超低消耗电流的IC产品。有Nch开漏输出的（BD70Hxx-2C）系列和CMOS输出的（BD73Hxx-2C）系列可选，可根据应用需求选用。由于没有迟滞幅度，因此解除电压值被设置为与检测电压值相同。

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BD70H12G-2C 数据手册

Nano Energy^TM

Datasheet

Voltage Detector (Reset) IC Series for Automotive Application

Supervisory IC

BD70Hxx-xC Series BD73Hxx-2C Series

General Description

Key Specifications

ROHM's Supervisory ICs are highly accurate, with ultra-

low current consumption feature that uses CMOS

process. The lineup includes N-channel open drain

output (BD70Hxx-xC) and CMOS output (BD73Hxx-2C)

so that the users can select depending on the application.

Because there is no hysteresis, the Release Voltage is

set to same value of Detection Voltage.

◼ Release Voltage:

3.76 V, 3.66 V, 3.56 V, 3.46 V, 3.06 V, 1.20V

◼ Ultra-Low Current Consumption:

270 nA (Typ)

-40 °C to +125 °C

◼ Operation Temperature Range:

Special Characteristics

◼ Release Voltage Accuracy:

±50 mV (-40 °C to +125 °C)

Features

◼ AEC-Q100 Qualified ^{(Note 1)}

◼ No Hysteresis

Package

W (Typ) x D (Typ) x H (Max)

2.90 mm x 2.80 mm x 1.25 mm

SSOP5:

◼ Two Output Types

(Nch Open Drain and CMOS Output)

◼ Nano Energy

◼ Very Small, Lightweight and Thin Package

◼ Package SSOP5 is similar to SOT-23-5 (JEDEC)

(Note 1) Grade 1

Application

All automotive devices that requires voltage detection

Typical Application Circuits

V_DD1

V_DD2

V_DD1

R_L

Microcontroller

RST

Microcontroller

RST

BD70Hxx-xC

BD73Hxx-2C

C_VDD

(Noise-reduction

Capacitor)

(Noise-reduction

Capacitor)

C_L

GND

Figure 1. Open Drain Output Type

BD70Hxx-xC Series

Figure 2. CMOS Output Type

BD73Hxx-2C Series

Pin Configuration

SSOP5

TOP VIEW

N.C.

VOUT VDD GND

Pin Description

SSOP5

PIN NAME

PIN No.

Function

Output pin

VOUT

VDD

GND

N.C.

Power supply voltage

GND

No connection pin

The no connection pin is electrically open and

can be connected to either VDD or GND.

N.C.

Nano Energy™ is a trademark or a registered trademark of ROHM Co., Ltd.

○Product structure：Silicon integrated circuit ○This product has no designed protection against radioactive rays

www.rohm.com

TSZ22111 • 14 • 001

TSZ02201-0GIG2G300030-1-2

28.Jun.2021 Rev.004

1/17

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BD70H35G-2C	ROHM	获取价格	罗姆的监测用IC采用CMOS工艺，实现了高精度、超低消耗电流。为保证客户可根据应用进行选择
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