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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 62.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD645-DR6274 | RENESAS |
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8A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD645-DR6280 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| BD645F | PHILIPS |
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Transistor, |
|
| BD646 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
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| BD646 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington PNP 60V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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| BD646 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| BD646 | COMSET |
获取价格 |
SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS |
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| BD646 | BOURNS |
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PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
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| BD646 | POINN |
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PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
|
| BD646 | TRSYS |
获取价格 |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
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