5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 62.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD647-6263 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BD647-6264 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| BD647-6265 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BD647-DR6259 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BD647-DR6260 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| BD647-DR6269 | RENESAS |
获取价格 |
8A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
|
| BD647-DR6274 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| BD647-DR6280 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| BD648 | INFINEON |
获取价格 |
NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| BD648 | TRSYS |
获取价格 |
PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
|
L6234手册解读：引脚信息、电气参数
解读BSP135H6327资料：电气参数及替换型号推荐
FDG6302P资料解析：电气参数、产品特性
SBAV99WT1G资料手册：参数信息、产品特性、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
