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BD543C

更新时间： 2024-01-12 21:26:58

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页数	文件大小	规格书
3页	99K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD543C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC, TO-220, FM-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.71
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	70 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BD543C 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD543/A/B/C

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type BD544/A/B/C

·8 A continuous collector current

·10 A peak Collector current

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings (Ta=25ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

BD543

BD543A

BD543B

BD543C

BD543

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

100

BD543A

BD543B

BD543C

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

I_CM

P_C

T_j

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

-65~150

T_stg

ꢀ

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD543C-S	BOURNS	暂无描述	获取价格
BD543-S	BOURNS	Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti	获取价格
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