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BD429

更新时间： 2024-01-18 10:01:27
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DEIAZ 接口集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 697K
描述
ARINC 429 Line Driver for HI speed (100 kHz) and LOW speed (12.5 kHz) data rates

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BD429 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：LCC
包装说明：QCCJ,针数：28
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.1
接口集成电路类型：INTERFACE CIRCUITJESD-30 代码：S-PQCC-J28
JESD-609代码：e3长度：11.51 mm
湿度敏感等级：3标称负供电电压：-15 V
功能数量：2端子数量：28
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装形状：SQUARE封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.3815 mm最大供电电压：5.25 V
最小供电电压：4.75 V标称供电电压：5 V
电源电压1-最大：16.5 V电源电压1-分钟：11.4 V
电源电压1-Nom：15 V表面贴装：YES
温度等级：OTHER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：11.51 mmBase Number Matches：1

BD429 数据手册

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Table 3: Absolute Maximum Ratings  
PARAMETER  
SYMBOL  
RATING  
UNITS  
Voltage between pins +V and –V  
V1 Maximum Voltage  
40  
7
V
V
V
V
V1  
VREF Maximum Voltage  
VREF  
6
DATA(A) Max Input Voltage  
DATA(B) Max Input Voltage  
VDATA(A)  
VDATA(B)  
(GND-0.3V) to  
(V1 + 0.3V)  
Lead Soldering Temperature  
(10 sec duration, thru-hole packges)  
Storage Temperature  
TSLD  
280  
-65 to +150  
+175  
oC  
oC  
oC  
TSTG  
Max Junction Temperature  
Ceramic Package & Plastic Package short term operation  
TJ MAX1  
Max Junction Temperature  
Plastic Package Limit (prolonged operation)  
TJ MAX2  
+145  
oC  
Output Short Circuit Duration  
Output Over-Voltage Protection  
Power Dissipation  
See Note 1  
See Note 2  
See Table 5 below  
Notes.  
1. One output at a time can be shorted to ground indefinitely.  
2. Both outputs are fused at between 0.5 Amp DC and 1.0 Amp DC to prevent an over-voltage fault from  
coupling onto the system power bus.  
Table 4: Operating Range  
SYMBOL  
PARAMETER  
Positive Supply Voltage  
MIN  
+11.4  
-11.4  
+4.75  
+4.75  
+3  
TYP  
MAX  
16.5  
-16.5  
+5.25  
+5.25  
+6  
UNITS  
VDC  
VDC  
VDC  
VDC  
VDC  
°C  
+V  
Negative Supply Voltage  
V1  
-V  
V1  
+5  
+5  
VREF (For ARINC 429)  
VREF  
VREF  
TA  
VREF (For other applications)  
Operating Temperature (Plastic Package)  
Operating Temperature (Ceramic Package)  
-55  
+85  
TA  
-55  
+125  
°C  
Thermal Management  
Device power dissipation varies greatly as a function of data rate, load capacitance, data duty cycle, and supply voltage.  
Proper thermal management is important in designs operating at the HI speed data rate (100KBS) with high capacitive  
loads and high data duty cycles.  
Power dissipation may be estimated from Table 5 “Power Dissipation Table”. Device power dissipation (Pd) is indicated  
for 100% data duty cycle with no word gap null times and should be adjusted for the appropriate data duty cycle (DC).  
Pd(application) = DC * [Pd(table) - 145mW] + 145mW, where DC is the application data duty cycle, Pd(table) is the Pd  
from the table for the indicated data rate and bus load, and 145mW is the quiescent power. The application’s data duty  
cycle (DC) for 100KBS operation is calculated as:  
DC = (total bits transmitted in 10 sec period / 1,000,000) =  
(32 x total ARINC words transmitted in 10 sec period / 1,000,000).  
Heat transfer from the IC package should be maximized. Use maximum trace width on all power and signal connections  
at the IC. Place vias on the signal/power traces close to the IC to maximize heat flow to the internal power planes. If  
possible, design a solid heat spreader land under and beyond the IC to maximize heat flow from the device.  
© 2016 Device Engineering Incorporated  
4 of 13  
DS-MW-00429-01 Rev. G  
01/13/2016  
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