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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFN | 包装说明： | HVQCCN, |
| 针数： | 20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 内置保护： | OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE | 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER |
| JESD-30 代码： | S-XQCC-N20 | 长度： | 4 mm |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 20 |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 输出电流流向： | SOURCE AND SINK | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | HVQCCN | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 最大供电电压： | 3.6 V | 最小供电电压： | 3 V |
| 标称供电电压： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 4 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BD416 | MICRO-ELECTRONICS | Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| BD417 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-220AB |
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| BD418 | ONSEMI | TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1A I(C),TO-220AB |
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| BD41931 | ETC | SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP |
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| BD4201FV | ROHM | Battery Backup IC |
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| BD4210EKN | ROHM | Strobe Charge Control IC |
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