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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.66 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BD239C-6255 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD239C-6258 | RENESAS |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD239C-6261 | RENESAS |
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4A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD239C-6263 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD239C-6264 | RENESAS |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD239C-6265 | RENESAS |
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4A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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| BD239C66 | MOTOROLA |
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Transistor |
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| BD239CA | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD239CAF | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| BD239CAJ | MOTOROLA |
获取价格 |
2A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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