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BD2062FJ

更新时间: 2024-11-28 06:41:51
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罗姆 - ROHM 开关
页数 文件大小 规格书
5页 116K
描述
High side switch IC

BD2062FJ 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:LSOP,针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.67
内置保护:OVER CURRENT; THERMAL; UNDER VOLTAGE接口集成电路类型:BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码:R-PDSO-G8JESD-609代码:e2
长度:4.9 mm功能数量:1
端子数量:8最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C输出电流流向:SINK
标称输出峰值电流:1.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, LOW PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.475 mm
最大供电电压:5.5 V最小供电电压:2.7 V
标称供电电压:5 V表面贴装:YES
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
断开时间:40 µs接通时间:20000 µs
宽度:3.9 mmBase Number Matches:1

BD2062FJ 数据手册

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1/4  
Structure  
Products  
Type  
Silicon Monolithic IC  
High side switch IC  
BD2062FJ  
Features  
Low on resistance 80mMOSFET Switch  
1A Continuous current load  
Active “Low” control logic  
Soft start circuit  
Over current detection  
Thermal shutdown  
Under voltage lockout  
Open drain error flag output  
Reverse-current protection when power switch off  
ESD protection  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
VIN  
Unit  
V
Rating  
-0.3 ~ 6.0  
-0.3 ~ 6.0  
-0.3 ~ 6.0  
~ 5  
Supply voltage  
/EN voltage  
V/EN  
V
/OC voltage  
V/OC  
IS/OC  
VOUT  
TSTG  
PD  
V
/OC sink current  
OUT voltage  
mA  
V
-0.3 ~ 6.0  
-55 ~ 150  
675 *1  
Storage temperature  
°C  
mW  
Power dissipation  
*1 Mounted on 70mm*70mm*1.6mm glass-epoxy PCB. Derating : 5.4mW/°C above Ta=25°C.  
This product is not designed for protection against radioactive rays.  
*
Operating conditions  
Parameter  
Symbol  
VIN  
Min.  
2.7  
Max.  
5.5  
85  
Unit  
V
Typ.  
-
-
-
Operating voltage  
Operating temperature  
Continuous output current  
-40  
0.0  
°C  
A
TOPR  
IOUT  
1.0  
REV. A  

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