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BD175

更新时间： 2024-02-15 07:37:55

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	124K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BD175 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.26	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	3 MHz	Base Number Matches：	1

BD175 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BD175 BD177 BD179

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

V_CEsat

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

0.8

UNIT

Collector-emitter saturation voltage I_C=1A; I_B=0.1A

V_BE

Base-emitter on voltage

I_C=1A ; V_CE=2V

I_C=0.1A; I_B=0

1.3

BD175

BD177

BD179

BD175

BD177

BD179

Collector-emitter

sustaining voltage

V_CEO(SUS)

V_CB=45V; I_E=0

I_CBO

Collector cut-off current

100

μA

V_CB=60V; I_E=0

V_CB=80V; I_E=0

I_EBO

h_FE-1

h_FE-2

f_T

Emitter cut-off current

DC current gain

V_EB=5V; I_C=0

I_C=150mA ; V_CE=2V

I_C=1A ; V_CE=2V

I_C=250mA; V_CE=10V

250

DC current gain

Transition frequency

MHz

h_FE-1Classifications

100-250

40-100

63-160

※ classification 16 :only BD175

123

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与BD175相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BD17510	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/	获取价格
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