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BD10150CT

更新时间： 2024-01-20 03:24:00

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描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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BD10150CT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-251AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.69
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.9 V	JEDEC-95代码：	TO-251AB
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	150 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

BD10150CT 数据手册

BD1040CT~BD10200CT

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

Unit : inch (mm)

TO-251AB

CURRENT 10.0 Amperes

VOLTAGE

40 to 200 Volts

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

.264(6.7)

.248(6.3)

.098(2.5)

.082(2.1)

• For through hole applications

• Low profile package

.024(0.6)

.016(0.4)

.216(5.5)

.200(5.1)

• Built-in strain relief

• Low power loss, High efficiency

• High surge capacity

• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and

polarity protection applications

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

.071(1.8)

.051(1.3)

.032(0.8)

.012(0.3)

MECHANICALDATA

.02(0.5)

• Case: TO-251AB molded plastic

.09 .09

(2.3) (2.3)

• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026

• Polarity: As marking

• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.

MAXIMUM RATINGS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

BD1040CT BD1045CT BD1050CT BD1060CT BD1080CT BD1090CT BD10100CT BD10150CT BD10200CT

PARAMETER

SYMBOL

V_{R R M}

UNITS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

31.5

100

150

105

150

200

140

200

Maximum RMS Voltage

V_{R M}

Maximum DC Blocking Voltage

Maximum Average Forward (See Figure 1)

V_D

100

I_{F ( A V}

)

Peak Forward Surge Current

superimposed on rated load(JEDEC method)

: 8.3ms single half sine-wave

I_{F S}

100

Maximum Forward Voltage at 5.0A per leg

V_F

I_R

0.70

0.75

0.80

0.90

Maximum DC Reverse Current at T_J=25^O

0.05

Rated DC Blocking Voltag T_J=100^O

^OC

Typical Thermal Resistance

R_{θ J C}

3.0

^OC

-55 to +150

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J,T_S

-65 to +175

T G

NOTES:

Both Bonding and Chip structure are available.

PAGE . 1

STAD-APR.30.2009

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